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IBM与三星共同开发突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈

IBM与三星共同开发突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈

2021-12-14 10:17:22

在加州旧金山举办的 IEDM 2021 国际电子元件会议中，IBM 与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设计技术，该技术[详细]

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